Le projet GAN4AP est un projet ambitieux visant à faire de la technologie GaN la principale lorsqu’il s’agit de composants actifs de puissance présents dans tous les systèmes de conversion de puissance, avec la possibilité d’atteindre une perte d’énergie proche de zéro. Le projet GAN4AP va : - Développer des systèmes électroniques de puissance pour la gestion et la conversion de puissance, en se basant sur une architecture avancée et une organisation du circuit imprimé centrée autour des Transistors à Haute Mobilité d’Electrons (HEMTs) couplés à une gestion des paquets par haute-fréquence afin d’atteindre les 99 % de conversion de puissance requis. - Développer un nouveau matériau (Nitrure de Scandium/Aluminium – AlScN) permettant d’atteindre des performances physiques jamais observées pour des transistors de puissance à haute efficience. Une nouvelle architecture de HEMT sera développée, permettant d’atteindre un courant plus élevé (x2) et une densité de puissance doublée par rapport aux transistors existants. - Développer une nouvelle génération de MOSFET de puissance à base de GaN, avec une inversion verticale du canal p-GaN pour une sécurisation de l’activation jusqu’à 1200V. Le projet couvrira l’ensemble de la chaîne de production du design jusqu’à la production et l’implémentation, avec les étapes intermédiaires de tests sur modules et demi-modules. - Développer les applications de cette technologie GaN au travers de la solution STi2GaN, à la fois en système isolé mais aussi en système intégré (System in Package, SiP), ce qui permettra de créer des convertisseurs de puissance adaptés à la mobilité électrique. Le projet se focalisera sur des concepts parallélisables et évolutifs, notamment de convertisseurs Buck-Boost de 48V-12V destinés à des applications standards et d’Assistance à la Conduite (Advanced Driver Assistance Systems – ADAS). Ces modules combinent, dans un seul élément final, intégré sans câblage filaire, un pilote et contrôleur BCD, reposant sur un substrat commun en Half-bridge monolithique de 100V en e-GaN. Le développement de nouveaux dispositifs et de circuits de puissance innovants à base de GaN est essentiel pour que l’UE puisse se créer une place dans le contexte concurrentiel mondial.
Suivi de projet - Pendant le projet : 45
Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PALERMO
VALEO SYSTÈMES CONTRÔLE MOTEURS
WURTH ELEKTRONIK EISOS GMBH & CO KG
SEMPA SYSTEMS GMBH
SAINT-GOBAIN LUMILOG (SGL)
STMICROELECTRONICS (ITALIE)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN
UNIVERSITA DEGLI STUDI DI CATANIA
UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MESSINA
MECAPROM TECHNOLOGIES CORPORATION ITALIA SRL
NXP SEMICONDUCTORS
STMICROELECTRONICS DESIGN AND APPLICATION SRO - REPUBLIQUE TCHEQUE
SYNERGIE CAD INSTR.
SCHNEIDER ELECTRIC AUTOMATION GMBH
CESKE VYSOKE UCENI TECHNICKE V PRAZE
IROELEKTRONICKYCH APLIKACI S.R.O.
GFRIED WILHELM LEIBNIZ UNIVERSITAET HANNOVER
NEXTNANO GMBH
S.A.T.SICILIANA ARTICOLI TECNICI SRL
SCHNEIDER ELECTRIC
STMICROELECTRONICS (ROUSSET)
HOCHSCHULE FUR ANGEWANDTE WISSENSCHAFTEN WURZBURG-SCHWEINFURT
AUTOMATISIERUNGSTECHNIK VOIGT GMBH
FERRARI-SOCIETA' PER AZIONI ESERCIZIO FABBRICHE AUTOMOBILI E CORSE
FINEPOWER GMBH
VALEO SIEMENS EAUTOMOTIVE GERMANY GMBH
VALEO SIEMENS EAUTOMOTIVE FRANCE SAS
APSI3D
CEA INVESTISSEMENT
CNR (CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE)
ELDOR CORPORATION SPA
ENELX SRL
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
AIXTRON SE
CNRS PARIS
DOCKWEILER CHEMICALS GMBH
EDA INDUSTRIES SPA
FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V
ALGOWATT SPA
CONSORTIA NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA (IUNET)
ADVANTEST EUROPE GMBH
Début du projet le 01 / 06 / 2021
Domaines d'activité stratégiques
Systèmes électriques pour la mobilité
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Développement d’une borne de production et de distribution multi-énergies pour la mobilité.
Pour lutter contre le réchauffement climatique et la pollution, les véhicules H2 à pile à…
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