GAN4AP

En cours

Le projet GAN4AP est un projet ambitieux visant à faire de la technologie GaN la principale lorsqu’il s’agit de composants actifs de puissance présents dans tous les systèmes de conversion de puissance, avec la possibilité d’atteindre une perte d’énergie proche de zéro. Le projet GAN4AP va : - Développer des systèmes électroniques de puissance pour la gestion et la conversion de puissance, en se basant sur une architecture avancée et une organisation du circuit imprimé centrée autour des Transistors à Haute Mobilité d’Electrons (HEMTs) couplés à une gestion des paquets par haute-fréquence afin d’atteindre les 99 % de conversion de puissance requis. - Développer un nouveau matériau (Nitrure de Scandium/Aluminium – AlScN) permettant d’atteindre des performances physiques jamais observées pour des transistors de puissance à haute efficience. Une nouvelle architecture de HEMT sera développée, permettant d’atteindre un courant plus élevé (x2) et une densité de puissance doublée par rapport aux transistors existants. - Développer une nouvelle génération de MOSFET de puissance à base de GaN, avec une inversion verticale du canal p-GaN pour une sécurisation de l’activation jusqu’à 1200V. Le projet couvrira l’ensemble de la chaîne de production du design jusqu’à la production et l’implémentation, avec les étapes intermédiaires de tests sur modules et demi-modules. - Développer les applications de cette technologie GaN au travers de la solution STi2GaN, à la fois en système isolé mais aussi en système intégré (System in Package, SiP), ce qui permettra de créer des convertisseurs de puissance adaptés à la mobilité électrique. Le projet se focalisera sur des concepts parallélisables et évolutifs, notamment de convertisseurs Buck-Boost de 48V-12V destinés à des applications standards et d’Assistance à la Conduite (Advanced Driver Assistance Systems – ADAS). Ces modules combinent, dans un seul élément final, intégré sans câblage filaire, un pilote et contrôleur BCD, reposant sur un substrat commun en Half-bridge monolithique de 100V en e-GaN. Le développement de nouveaux dispositifs et de circuits de puissance innovants à base de GaN est essentiel pour que l’UE puisse se créer une place dans le contexte concurrentiel mondial.

Retombées du projet

Publication scientifique : 1215

Action de communication : 1080

Suivi de projet - Pendant le projet : 45

Personnes engagées sur le projet

Partenaire(s) adhérents

Partenaire(s) non adhérents

SCHNEIDER ELECTRIC

NXP SEMICONDUCTORS

STMICROELECTRONICS (ROUSSET)

CEA INVESTISSEMENT

CNR (CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE)

VALEO SYSTÈMES CONTRÔLE MOTEURS

APSI3D

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V

CNRS PARIS

CONSORTIA NAZIONALE INTERUNIVERSITARIO PER LA NANOELETTRONICA (IUNET)

ADVANTEST EUROPE GMBH

AIXTRON SE

ALGOWATT SPA

AUTOMATISIERUNGSTECHNIK VOIGT GMBH

DOCKWEILER CHEMICALS GMBH

EDA INDUSTRIES SPA

ELDOR CORPORATION SPA

ENELX SRL

FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

FERRARI-SOCIETA' PER AZIONI ESERCIZIO FABBRICHE AUTOMOBILI E CORSE

HOCHSCHULE FUR ANGEWANDTE WISSENSCHAFTEN WURZBURG-SCHWEINFURT

FINEPOWER GMBH

IROELEKTRONICKYCH APLIKACI S.R.O.

GFRIED WILHELM LEIBNIZ UNIVERSITAET HANNOVER

MECAPROM TECHNOLOGIES CORPORATION ITALIA SRL

NEXTNANO GMBH

S.A.T.SICILIANA ARTICOLI TECNICI SRL

SCHNEIDER ELECTRIC AUTOMATION GMBH

SEMPA SYSTEMS GMBH

SAINT-GOBAIN LUMILOG (SGL)

STMICROELECTRONICS DESIGN AND APPLICATION SRO - REPUBLIQUE TCHEQUE

STMICROELECTRONICS (ITALIE)

SYNERGIE CAD INSTR.

TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN

UNIVERSITA DEGLI STUDI DI CATANIA

UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MESSINA

UNIVERSITA DEGLI STUDI DI PALERMO

CESKE VYSOKE UCENI TECHNICKE V PRAZE

VALEO SIEMENS EAUTOMOTIVE GERMANY GMBH

VALEO SIEMENS EAUTOMOTIVE FRANCE SAS

WURTH ELEKTRONIK EISOS GMBH & CO KG

Informations sur le projet

Début du projet le 06 / 11 / 2024


Domaines d'activité stratégiques

Systèmes électriques pour les mobilités

Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes


Référent du projet

Alexandre CHARI
Chargé de projets européens

06 10 33 89 48

alexandre.chari@s2e2.fr

Bruxelles

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