GANPIN

En cours

Le principal objectif de ce projet est la réalisation de diodes PIN (Positive Instrinsic Negative) à base de Nitrure de Gallium, pour des applications hautes fréquences, sur des substats silicium. Les applications de ce type de diode sont les circuits hautes fréquences reconfigurables, c’est à dire des circuits qui peuvent modifier une de leur caractéristique dynamiquement.

Retombées du projet

Emplois crées : 1

Thèse : 2

Action de communication : 2

Emplois crées : 1

Personnes engagées sur le projet

Porteur du projet

Partenaire(s) adhérents

Informations sur le projet

Début du projet le 21 / 05 / 2024


Domaines d'activité stratégiques

Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes


Référent du projet

Florentin BORÉ
Chargé de projets innovants

06 66 39 55 43

florentin.bore@s2e2.fr

Centre-Val de Loire

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