Le principal objectif de ce projet est la réalisation de diodes PIN (Positive Instrinsic Negative) à base de Nitrure de Gallium, pour des applications hautes fréquences, sur des substats silicium. Les applications de ce type de diode sont les circuits hautes fréquences reconfigurables, c’est à dire des circuits qui peuvent modifier une de leur caractéristique dynamiquement.
Emplois crées : 1
Thèse : 2
Emplois crées : 1
Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Début du projet le 01 / 10 / 2021
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Florentin BORÉ
06 66 39 55 43
florentin.bore-ext@st.com
Centre-Val de Loire
.png)
