Le principal objectif de ce projet est la réalisation de diodes PIN (Positive Instrinsic Negative) à base de Nitrure de Gallium, pour des applications hautes fréquences, sur des substats silicium. Les applications de ce type de diode sont les circuits hautes fréquences reconfigurables, c’est à dire des circuits qui peuvent modifier une de leur caractéristique dynamiquement.
Emplois crées : 1
Thèse : 2
Action de communication : 2
Emplois crées : 1
Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Début du projet le 05 / 06 / 2023
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Florentin BORÉ
06 66 39 55 43
florentin.bore-ext@st.com
Centre-Val de Loire
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