DG2HT2

Study, development and characterization of a high temperature electronic control of high temperature power transistors (SiC ...). High Reliability Module Development in Extreme Temperature Range

Retombées du projet

Suivi de projet - Fin du projet : 3

Produit / Prototype : 12

Publication scientifique : 15

Thèse : 3

Emplois crées : 6

Emplois maintenus : 6

Création d'entreprise : 3

Procédé : 6

Rapport final : 3

Personnes engagées sur le projet
Informations sur le projet

Fin du projet le 08 / 10 / 2024


Domaines d'activité stratégiques

Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes

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