YESVGAN

En cours

YESvGaN établira une nouvelle classe de transistors de puissance verticaux en GaN qui combine les avantages en termes de performances des transistors verticaux à large bande interdite (WBG) avec les avantages en termes de coûts de la technologie établie du silicium. Ces transistors peuvent remplacer les IGBT et ainsi réduire les pertes de conversion de puissance dans de nombreuses applications sensibles au prix, allant des alimentations électriques dans les centres de données aux onduleurs de traction pour les véhicules électriques. YESvGaN couvre le développement de la nouvelle technologie requise, de la tranche de silicium à l'application.

Retombées du projet

Action de communication : 391

Publication scientifique : 230

Produit / Prototype : 23

Personnes engagées sur le projet

Partenaire(s) adhérents

Partenaire(s) non adhérents

ION BEAM SERVICES (IBS)

SOITEC

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V

AIXTRON SE

FINEPOWER GMBH

FERDINAND-BRAUN-INSTITUT

EV GROUP E.THALLNER GMBH

HEXAGEM AB

LINKÖPING UNIVERSITY

X-FAB DRESDEN GMBH & CO. KG

X-FAB GLOBAL SERVICES GMBH

SMART INDUCTION CONVERTER TECHNOLOGY S.L.

UNIVERSITAT DE VALENCIA

NANOWIRED GMBH

GHENT UNIVERSITY

MATERIALS CENTER LEOBEN FORSCHUNG GMBH

SILTRONIC

AUREL

IUNET

RAWPOWER SRL

Informations sur le projet

Début du projet le 22 / 06 / 2024


Domaines d'activité stratégiques

Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes


Référent du projet

Alexandre CHARI
Chargé de projets européens

06 10 33 89 48

alexandre.chari@s2e2.fr

Bruxelles

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