YESVGAN

En cours

YESvGaN établira une nouvelle classe de transistors de puissance verticaux en GaN qui combine les avantages en termes de performances des transistors verticaux à large bande interdite (WBG) avec les avantages en termes de coûts de la technologie établie du silicium. Ces transistors peuvent remplacer les IGBT et ainsi réduire les pertes de conversion de puissance dans de nombreuses applications sensibles au prix, allant des alimentations électriques dans les centres de données aux onduleurs de traction pour les véhicules électriques. YESvGaN couvre le développement de la nouvelle technologie requise, de la tranche de silicium à l'application.

Retombées du projet

Il n'y a pas de retombées pour ce projet pour le moment

Personnes engagées sur le projet

Partenaire(s) adhérents

Partenaire(s) non adhérents

FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V

HEXAGEM AB

X-FAB DRESDEN GMBH & CO. KG

ION BEAM SERVICES (IBS)

AUREL

IUNET

RAWPOWER SRL

SOITEC

FINEPOWER GMBH

EV GROUP E.THALLNER GMBH

GHENT UNIVERSITY

LINKÖPING UNIVERSITY

UNIVERSITAT DE VALENCIA

AIXTRON SE

FERDINAND-BRAUN-INSTITUT

X-FAB GLOBAL SERVICES GMBH

SMART INDUCTION CONVERTER TECHNOLOGY S.L.

NANOWIRED GMBH

MATERIALS CENTER LEOBEN FORSCHUNG GMBH

SILTRONIC

Informations sur le projet

Début du projet le 01 / 05 / 2021


Domaines d'activité stratégiques

Matériaux et composants pour l'électronique


Référent du projet

Aniss HADJI
Chargé de projets européens

06 10 33 89 48

aniss.hadji-ext@st.com

Bruxelles

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