YESvGaN établira une nouvelle classe de transistors de puissance verticaux en GaN qui combine les avantages en termes de performances des transistors verticaux à large bande interdite (WBG) avec les avantages en termes de coûts de la technologie établie du silicium. Ces transistors peuvent remplacer les IGBT et ainsi réduire les pertes de conversion de puissance dans de nombreuses applications sensibles au prix, allant des alimentations électriques dans les centres de données aux onduleurs de traction pour les véhicules électriques. YESvGaN couvre le développement de la nouvelle technologie requise, de la tranche de silicium à l'application.
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Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V
HEXAGEM AB
X-FAB DRESDEN GMBH & CO. KG
ION BEAM SERVICES (IBS)
AUREL
IUNET
RAWPOWER SRL
SOITEC
FINEPOWER GMBH
EV GROUP E.THALLNER GMBH
GHENT UNIVERSITY
LINKÖPING UNIVERSITY
UNIVERSITAT DE VALENCIA
AIXTRON SE
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT
X-FAB GLOBAL SERVICES GMBH
SMART INDUCTION CONVERTER TECHNOLOGY S.L.
NANOWIRED GMBH
MATERIALS CENTER LEOBEN FORSCHUNG GMBH
SILTRONIC
Début du projet le 01 / 05 / 2021
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Aniss HADJI
06 10 33 89 48
aniss.hadji-ext@st.com
Bruxelles
