YESvGaN établira une nouvelle classe de transistors de puissance verticaux en GaN qui combine les avantages en termes de performances des transistors verticaux à large bande interdite (WBG) avec les avantages en termes de coûts de la technologie établie du silicium. Ces transistors peuvent remplacer les IGBT et ainsi réduire les pertes de conversion de puissance dans de nombreuses applications sensibles au prix, allant des alimentations électriques dans les centres de données aux onduleurs de traction pour les véhicules électriques. YESvGaN couvre le développement de la nouvelle technologie requise, de la tranche de silicium à l'application.
Action de communication : 391
Publication scientifique : 230
Produit / Prototype : 23
Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
ION BEAM SERVICES (IBS)
SOITEC
FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V
AIXTRON SE
FINEPOWER GMBH
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT
EV GROUP E.THALLNER GMBH
HEXAGEM AB
LINKÖPING UNIVERSITY
X-FAB DRESDEN GMBH & CO. KG
X-FAB GLOBAL SERVICES GMBH
SMART INDUCTION CONVERTER TECHNOLOGY S.L.
UNIVERSITAT DE VALENCIA
NANOWIRED GMBH
GHENT UNIVERSITY
MATERIALS CENTER LEOBEN FORSCHUNG GMBH
SILTRONIC
AUREL
IUNET
RAWPOWER SRL
Début du projet le 24 / 03 / 2025
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Alexandre CHARI
06 10 33 89 48
alexandre.chari@s2e2.fr
Bruxelles
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