L'objectif de ce projet consiste à réaliser des nanostructures de silicium de surface spécifique élevée pour les prochaines générations de composants actifs et passifs à forte densité d'intégration. La voie proposée pour la réalisation des nanostructures est d'utiliser des masques à base de mélanges d'homopolymère peu couteux et de transférer les nanomotifs sur silicium par cryogravure plasma.
Thèse : 1
Publication scientifique : 27
Procédé : 6
Rapport final : 3
Emplois crées : 6
Thèse : 2
Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Début du projet le 22 / 09 / 2014 | Fin du projet le 01 / 09 / 2017
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
07 86 53 38 70
nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com
Centre-Val de loire
