L'objectif de ce projet consiste à réaliser des nanostructures de silicium de surface spécifique élevée pour les prochaines générations de composants actifs et passifs à forte densité d'intégration. La voie proposée pour la réalisation des nanostructures est d'utiliser des masques à base de mélanges d'homopolymère peu couteux et de transférer les nanomotifs sur silicium par cryogravure plasma.
Thèse : 1
Publication scientifique : 27
Procédé : 6
Rapport final : 3
Emplois crées : 6
Thèse : 2
Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Début du projet le 08 / 10 / 2024 | Fin du projet le 08 / 10 / 2024
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Sébastien DESPLOBAIN
07 86 53 38 74
sebastien.desplobain@s2e2.fr
Centre-Val de Loire
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