Développer une technologie de diode TVS (Transient Voltage Suppressor) à base de SiC et évaluer leurs performances en terme de densité de courant destructif en surcharge (IPP8/20 ou 10/1000) en fonction de la tension de claquage (VBR)
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Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
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Centre-Val de Loire
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