Développer une technologie de diode TVS (Transient Voltage Suppressor) à base de SiC et évaluer leurs performances en terme de densité de courant destructif en surcharge (IPP8/20 ou 10/1000) en fonction de la tension de claquage (VBR)
Thèse : 1
Emplois crées : 2
Thèse : 1
Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Début du projet le 08 / 10 / 2024
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Sébastien DESPLOBAIN
07 86 53 38 74
sebastien.desplobain@s2e2.fr
Centre-Val de Loire
.png)
