ASGEIR

Accepté

Le projet vise à mener des travaux sur le nitrure de gallium pour le marché des semi conducteurs. Dans le projet ASGEIR, nous proposons une nouvelle approche utilisant un substrat de silicium conçu pour le rendre plus adapté à l'épitaxie de la couche III-N. Cette nouvelle solution consiste en une porosification modifiée de silicium pour réduire la déformation/le stress dans les films de GaN.

Retombées du projet

Il n'y a pas de retombées pour ce projet pour le moment

Personnes engagées sur le projet

Partenaire(s) adhérents

Partenaire(s) non adhérents

LABORATOIRE NANOTECHNOLOGIES ET NANOSYSTÈMES – LN2

LABORATOIRE GREYC

Domaines d'activité stratégiques

Matériaux et composants pour l'électronique


Référent du projet

Florentin BORÉ
Chargé de projets innovants

06 66 39 55 43

florentin.bore-ext@st.com

Centre-Val de Loire

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