Le projet vise à mener des travaux sur le nitrure de gallium pour le marché des semi conducteurs. Dans le projet ASGEIR, nous proposons une nouvelle approche utilisant un substrat de silicium conçu pour le rendre plus adapté à l'épitaxie de la couche III-N. Cette nouvelle solution consiste en une porosification modifiée de silicium pour réduire la déformation/le stress dans les films de GaN.
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Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
LABORATOIRE GREYC
LABORATOIRE NANOTECHNOLOGIES ET NANOSYSTÈMES – LN2
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Florentin BORÉ
06 66 39 55 43
florentin.bore-ext@st.com
Centre-Val de Loire
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