Le projet vise à mener des travaux sur le nitrure de gallium pour le marché des semi conducteurs. Dans le projet ASGEIR, nous proposons une nouvelle approche utilisant un substrat de silicium conçu pour le rendre plus adapté à l'épitaxie de la couche III-N. Cette nouvelle solution consiste en une porosification modifiée de silicium pour réduire la déformation/le stress dans les films de GaN.
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Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
LABORATOIRE GREYC
LABORATOIRE NANOTECHNOLOGIES ET NANOSYSTÈMES – LN2
Début du projet le 03 / 12 / 2024
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Daniel MELEY
07 86 53 38 70
daniel.meley@s2e2.fr
Centre-Val de Loire
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