L’objectif est de mettre au point une approche inédite de fabrication de silicium poreux avec des dimensions, des morphologies et une organisation des pores contrôlés. Cette approche met en œuvre un procédé de localisation de la gravure par des membranes polymères auto-organisées perforées déposées à la surface du silicium. Ce projet vise à lever des verrous scientifiques concernant la gravure du silicium dans des espaces confinés d’une part et l’auto-organisation de polymères originaux par des procédés bottom-up (non basés sur des techniques de photolithographie) d’autre part. Sur le plan des applications, l’utilisation de Si à porosité contrôlée ouvre des perspectives pour la réalisation de nouveaux composants électroniques.
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Porteur du projet
Partenaire(s) adhérents
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Nicolas POUSSET
07 86 53 38 70
nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com
Centre val de loire
