Le projet WInSiC4AP (Wide band gap innovative SiC for advanced power) porte sur le développement de composants innovants fondés sur la technologie SiC. Ces composants permettront d'importantes avancées dans les domaines de l'efficacité énergétique et de la densité de puissance. Le projet WInSiC4AP regroupe 20 partenaires européens dont le laboratoire GREMAN. Dans le cadre de ce projet, le GREMAN étudiera une méthode de recuit laser pour les contacts en face arrière, compatible avec l'intégrité du composant déjà réalisé.
Suivi de projet - Pendant le projet : 1
Suivi de projet - Pendant le projet : 59
Action de communication : 120
Publication scientifique : 520
Thèse : 20
Nouveau projet : 20
Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
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Début du projet le 02 / 12 / 2024 | Fin du projet le 02 / 12 / 2024
Domaines d'activité stratégiques
Électronique : matériaux, composants et sous-systèmes
Référent du projet
Alexandre CHARI
06 10 33 89 48
alexandre.chari@s2e2.fr
Bruxelles
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