Le projet WInSiC4AP (Wide band gap innovative SiC for advanced power) porte sur le développement de composants innovants fondés sur la technologie SiC. Ces composants permettront d'importantes avancées dans les domaines de l'efficacité énergétique et de la densité de puissance. Le projet WInSiC4AP regroupe 20 partenaires européens dont le laboratoire GREMAN. Dans le cadre de ce projet, le GREMAN étudiera une méthode de recuit laser pour les contacts en face arrière, compatible avec l'intégrité du composant déjà réalisé.
Action de communication : 40
Partenaire(s) adhérents
Partenaire(s) non adhérents
University of Catania
University of Praha
University of Messina
Sicilian Airbus Travel - SAT Group
SOFTECO
WÜRTH Elektronik
Institute of Microelectronic Applications - IMA
VALEO Systèmes Contrôle Moteurs
APOJEE
APSI3D
Distretto Tecnologico Aerospaziale della Campania - DAC
Zodiac Aero Electric
University of Hannover
The National Interuniversity Consortium for Nanoelectronics IU.NET
Enel Distribuzione
CNR (CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE)
STMICROELECTRONICS - Catane
NEXTER
Début du projet le 01 / 06 / 2017
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
Nicolas POUSSET
07 86 53 38 70
nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com
Centre val de loire
