NANOSENS

Achevé

Le Carbure de Silicium à structure cubique (3C-SiC), dont la croissance peut s’opérer sur substrats de silicium, offre de réelles potentialités pour la réalisation tant des composants pour l’électronique de puissance que les MEMS. Le but du projet NANOSENS consiste à développer à la fois le matériau et les techniques connexes pour la réalisation de microsystèmes en SiC à faible coût. Grâce à ces développements, le projet mettra en place une plateforme technologique dédiée à la réalisation de microsystèmes en SiC.

Retombées du projet

Rapport final : 1

Publication scientifique : 102

Thèse : 18

Rapport final : 5

Personnes engagées sur le projet

Partenaire(s) adhérents

Partenaire(s) non adhérents

Laboratoire IM2NP

Laboratoire LPN

NOVASIC

Laboratoire CRHEA

Informations sur le projet

Début du projet le 01 / 01 / 2009 | Fin du projet le 31 / 12 / 2013


Domaines d'activité stratégiques

Matériaux et composants pour l'électronique


Référent du projet

Nicolas POUSSET
Responsable Technique

07 86 53 38 70

nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com

Centre val de loire

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