NANOSENS

The Silicon Carbide with cubic structure (3C-SiC) can be deposited on Silicon substrates and opens exiting opportunities to manufacture electronic power components and MEMs. The goal of the NANOSENS project deals with the development of both the material and the associated technologies and processes to manufacture low-cost SiC Microsystems. Thanks to these developments, the project will eventually setup a technology platform dedicated to SiC microsystem manufacturing.

Retombées du projet

Rapport final : 1

Publication scientifique : 102

Thèse : 18

Rapport final : 5

Personnes engagées sur le projet
Informations sur le projet

Début du projet le 11 / 05 / 2021 | Fin du projet le 11 / 05 / 2021


Domaines d'activité stratégiques

Systèmes électriques pour la mobilité

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