Le Carbure de Silicium à structure cubique (3C-SiC), dont la croissance peut s’opérer sur substrats de silicium, offre de réelles potentialités pour la réalisation tant des composants pour l’électronique de puissance que les MEMS. Le but du projet NANOSENS consiste à développer à la fois le matériau et les techniques connexes pour la réalisation de microsystèmes en SiC à faible coût. Grâce à ces développements, le projet mettra en place une plateforme technologique dédiée à la réalisation de microsystèmes en SiC.
Rapport final : 1
Publication scientifique : 102
Thèse : 18
Rapport final : 5
Partenaire(s) non adhérents
LABORATOIRE IM2NP
LABORATOIRE LPN
NOVASIC
LABORATOIRE LMP TOURS
LABORATOIRE CRHEA
Début du projet le 01 / 01 / 2009 | Fin du projet le 31 / 12 / 2013
Domaines d'activité stratégiques
Matériaux et composants pour l'électronique
Référent du projet
07 86 53 38 70
nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com
Centre-Val de loire
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