SUSCRYPP

Achevé

L'objectif de ce projet consiste à réaliser des nanostructures de silicium de surface spécifique élevée pour les prochaines générations de composants actifs et passifs à forte densité d'intégration. La voie proposée pour la réalisation des nanostructures est d'utiliser des masques à base de mélanges d'homopolymère peu couteux et de transférer les nanomotifs sur silicium par cryogravure plasma.

Retombées du projet

Thèse : 1

Publication scientifique : 27

Procédé : 6

Rapport final : 3

Emplois crées : 6

Thèse : 2

Personnes engagées sur le projet

Porteur du projet

Partenaire(s) adhérents

Informations sur le projet

Début du projet le 22 / 09 / 2014 | Fin du projet le 01 / 09 / 2017


Domaines d'activité stratégiques

Matériaux et composants pour l'électronique


Référent du projet

Nicolas POUSSET
Responsable Technique

07 86 53 38 70

nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com

Centre val de loire

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