Une large portion de la consommation électrique mondiale est maintenant perdue dans la dissipation thermique des circuits intégrés. La détermination expérimentale de la température et de la conductivité thermique à l'échelle nanométrique est un besoin fondamental pour optimiser le transport thermique dans les composants microélectroniques, réduire leur consommation et améliorer leurs performances et fiabilité. Le design des composants de puissance, en particulier, doit intégrer des contraintes thermiques très importantes. Des méthodes fiables de mesure à l'échelle caractéristique des composants sont nécessaires pour déterminer notamment la source des points chauds impactant la durée de vie des composants, ainsi que pour déterminer, plus fondamentalement, les propriétés thermiques des matériaux sous forme de couches très minces ou nanostructurés. Cependant, en dépit de l’essor du SThM (Scanning Thermal microscopy), un tel outil de caractérisation n'existe pas de manière pleinement satisfaisante et manque à l'industrie microélectronique qui cherche à déterminer les meilleures techniques de caractérisation thermique. Dans ce projet, nous développons une technique non conventionnelle d'imagerie à l'échelle caractéristique des nanostructures en couplant spectroscopie et nanoscopie, s’affranchissant ainsi de la mesure directe de température. Pour le mener, ce consortium rassemble des compétences fortes (1) en instrumentation, (2) en modélisation optique et thermique et en associant (3) l'équipe R&D "thermal management" d'un acteur majeur de l'industrie microélectronique. Les performances de l'approche seront comparées à des séries de mesure déjà obtenues en SThM.
Action de communication : 1
Action de communication : 3
Début du projet le 02 / 09 / 2019
Domaines d'activité stratégiques
Réseaux électriques intelligents
Référent du projet
07 86 53 38 70
nicolas.pousset-s2e2-ext@st.com
Centre val de loire
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