Projet GaN4AP : pour accélérer l’adoption de la technologie GaN
La demande mondiale en électricité a considérablement augmenté au cours de ces dernières décennies. Et une augmentation de 57% est attendue d’ici 2050. Par conséquent, l’efficacité des systèmes de conversion d’énergie est au cœur des efforts mondiaux pour la transition énergétique et une économie plus verte. Les semi-conducteurs à large bande, tels que le nitrure de gallium (GaN), ont des propriétés exceptionnelles permettant aux concepteurs de les faire fonctionner à des tensions, des températures et des fréquences de commutation plus élevées, avec des gains d’efficacité plus importants. Ainsi, l’usage de la technologie GaN ouvrira la voie au développement de systèmes de conversion, avec des pertes proches de zéro.
Le projet européen GAN4AP, labellisé par le Pôle S2E2, est porté par Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi, aux côtés de STMicroelectronics et le GREMAN, partenaires du projet. GaN4AP, financé dans le cadre de l’appel à projets H2020, a été lancé en juin dernier. Le projet a pour objectif de faire de la technologie GaN l’un des principaux composants dans un large éventail de systèmes de convertisseur de puissance. Et ce, avec la possibilité de réduire considérablement les pertes d’énergie dans les systèmes d’électronique de puissance, tout en assurant une haute fréquence et une puissance plus élevée. Grâce à ce projet, une grande variété d’applications bénéficiera d’un coup de pouce en termes de performances, sans sacrifier la taille et le coût du système.
Le développement de nouvelles technologies d’appareils et de topologies de circuits de puissance innovantes au sein de GaN4AP sera un facteur crucial pour améliorer la compétitivité des industries européennes au niveau mondial dans le secteur de l’électronique de puissance.
